Mémoire à changement de phase (PCM)

La mémoire à changement de phase (PCM) est une forme de mémoire vive (RAM) informatique qui stocke des données en modifiant l'état de la matière à partir de laquelle le dispositif est fabriqué. Selon ses partisans, la technologie PCM offre la possibilité d'un stockage non volatil peu coûteux, rapide, à haute densité et à grand volume, à une échelle inimaginable. Parce que sa vitesse est beaucoup plus proche de celle de la RAM dynamique (DRAM), la technologie de mémoire à changement de phase est idéale pour les modules de mémoire non volatile à double ligne (NVDIMM) et les lecteurs à état solide (SSD) à mémoire non volatile express (NVMe). La technologie de mémoire à changement de phase présente un avantage en termes de vitesse par rapport à la flash. Elle est également plus durable que la flash et peut supporter d'innombrables écritures quotidiennes sans se soucier de l'usure. La PCM est parfois appelée "RAM parfaite" (PRAM) car les données peuvent être écrasées sans avoir à les effacer au préalable. La structure du matériau PCM peut changer rapidement entre amorphe et cristallin à l'échelle microscopique. La résistance électrique du matériau dans sa phase désordonnée ou amorphe est élevée. Sa résistance est plus faible lorsqu'il est cristallin. Cela est rendu possible par la possibilité d'activer ou de désactiver des courants électriques, correspondant à des états numériques haut et bas. La structure physique de la puce est tridimensionnelle. Cela permet de placer davantage de transistors dans une puce de même taille, ce qui permet à la PCM de fonctionner beaucoup plus rapidement que la mémoire flash et de consommer moins d'énergie.