MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur)

Voir également le transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium. Le MOSFET, ou transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur, est un type de FET qui règle électroniquement la largeur du canal le long duquel circulent les porteurs de charge (électrons et trous). Plus le canal est large, meilleure est la conductivité du dispositif. Les porteurs de charge entrent dans le canal par la source et en sortent par le drain. La largeur du canal est contrôlée par la tension sur une électrode appelée grille, située physiquement entre la source et le drain et isolée du canal par une couche extrêmement fine d'oxyde métallique. Un MOSFET peut fonctionner de deux façons. La première est connue sous le nom de mode de déplétion. Lorsqu'il n'y a pas de tension sur la grille, le canal présente sa conductance maximale. La conductivité du canal diminue lorsque la tension sur la grille augmente (positivement ou négativement selon qu'il s'agit d'un matériau semi-conducteur de type P, de type N ou de type P). Le mode d'enrichissement est le deuxième mode de fonctionnement d'un MOSFET. Lorsqu'il n'y a pas de tension sur la grille, il n'y a en fait pas de canal et le dispositif ne conduit pas. Un canal est produit par l'application d'une tension à la grille. Un dispositif qui conduit bien est plus efficace s'il a une tension de grille plus élevée. Le MOSFET présente certains avantages par rapport au JFET ou au FET à jonction classique. La grille, qui est isolée électriquement du canal par un isolant, empêche le passage du courant entre elle et le canal. Ceci est valable quelle que soit la tension de la grille, tant que la tension ne dépasse pas un certain seuil. Ainsi, le MOSFET a une impédance pratiquement infinie . Cela rend les MOSFET utiles pour les amplificateurs de puissance. Ces dispositifs sont également bien adaptés aux applications de commutation à grande vitesse. Certains circuits intégrés (CI) comprennent de minuscules MOSFET qui sont souvent utilisés dans les ordinateurs. Le MOSFET peut être endommagé de façon permanente par des charges électrostatiques car la couche d'oxyde du MOSFET est très mince. Un MOSFET peut être définitivement détruit par une charge électrostatique, même minime. Les MOSFET ne sont pas aussi efficaces que les autres types de FET pour les travaux de radiofréquence (RF) à faible signal.