Un transistor en graphène est un dispositif à l'échelle nanométrique basé sur le graphène, un composant du graphite aux propriétés électroniques bien supérieures à celles du silicium. Ce dispositif est un transistor à électron unique, ce qui signifie qu'un seul électron le traverse à la fois. Une équipe de recherche dirigée par le professeur Andre Geim du Manchester Centre for Mesoscience and Nanotechnology a construit un transistor en graphène et l'a décrit dans le numéro de mars 2007 de la revue Nature.
Obtenez plus d'informations sur les TI : Science Daily rapporte que le "nouveau transistor en graphène" promet la vie après la mort de la puce en silicium. Photonics.com décrit le transistor en graphène.
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Le transistor en graphène présente les caractéristiques suivantes : la capacité de fonctionner à température ambiante. une taille d'un atome par 10 atomes de large. une sensibilité extrême. La capacité de fonctionner avec des tensions très basses. Ces qualités signifient que les processeurs à base de graphène pourraient être un successeur rapide et de faible puissance des processeurs à base de silicium et permettre des avancées dans la technologie des micropuces au-delà des capacités de celles utilisant le silicium comme matériau semi-conducteur. Les électrons peuvent se déplacer à travers le graphène à des vitesses dix à mille fois supérieures à celles du silicium. Le graphène a des propriétés qui s'améliorent avec des dispositifs plus petits, ce qui n'est pas le cas du silicium. Cette capacité, associée à la possibilité de fonctionner à température ambiante, pourrait permettre une plus grande miniaturisation qui, à son tour, permettrait de placer davantage de composants sur un circuit intégré (CI). Les chercheurs ont montré que les transistors en graphène peuvent atteindre des tailles de canal aussi petites que 2 nanomètres (nm), avec des vitesses térahertz.
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