La performance d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor bipolaire est mesurée par sa transconductance. En général, plus le chiffre de transconductance d'un dispositif est élevé, plus le gain (amplification) qu'il est capable de fournir est important, lorsque tous les autres facteurs sont maintenus constants. Formellement, pour un dispositif bipolaire, la transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de collecteur et la variation de la tension de base sur un intervalle défini, arbitrairement petit, de la courbe courant de collecteur-tension de base. Pour un transistor à effet de champ (FET), la transconductance est le rapport entre la variation du courant de drain et la variation de la tension de grille sur un intervalle défini et arbitrairement petit sur la courbe du courant de drain par rapport à la tension de grille. Le symbole de la transconductance est gm. L'unité est le thésiemens, la même unité que celle utilisée pour la conductance en courant continu (CC).
La taille de l'intervalle s'approche de zéro, ce qui signifie que la variation de la tension de base ou de la tension de grille devient plus faible et moins fréquente. En un point particulier, la pente de dI/dE est la même que la pente d'une ligne. La pente de cette ligne représente soit la transconductance théorique pour un transistor bipolaire à une tension de collecteur ou une tension de base donnée, soit pour un FET à une tension de grille particulière.
Si dI est une légère variation de la tension de base ou de la tension de grille, qui entraîne une légère variation du courant de collecteur/drain, la transconductance sera approximativement : gm = DI / DE